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產(chǎn)品型號(hào)NVMFS6B14NLWFT1G的概述

NVMFS6B14NLWFT1G 概述 NVMFS6B14NLWFT1G 是一種高級(jí)功率MOSFET，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，尤其是在電源管理和高頻開(kāi)關(guān)領(lǐng)域。這款芯片由 NXP Semiconductors 所制造，屬于 NVMFS 系列，專(zhuān)為滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)別的高性能要求而設(shè)計(jì)。其設(shè)計(jì)目標(biāo)是在低導(dǎo)通...

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NVMFS6B14NLWFT1G產(chǎn)品參數(shù)
型號(hào):NVMFS6B14NLWFT1G
Brand Name：ON Semiconductor
是否無(wú)鉛： 不含鉛
生命周期：Active
包裝說(shuō)明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
制造商包裝代碼：488AA
Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：29 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)：1.49
雪崩能效等級(jí)（Eas）：29 mJ
外殼連接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓：100 V
最大漏源導(dǎo)通電阻：0.019 Ω
FET 技術(shù)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼：R-PDSO-F5
JESD-609代碼：e3
濕度敏感等級(jí)：1
元件數(shù)量：1
端子數(shù)量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料：PLASTIC/EPOXY
封裝形狀：RECTANGULAR
封裝形式：SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）：NOT SPECIFIED
極性/信道類(lèi)型：N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM)：140 A
參考標(biāo)準(zhǔn)：AEC-Q101
表面貼裝：YES
端子面層：Tin (Sn)
端子形式：FLAT
端子位置：DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間：NOT SPECIFIED
晶體管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1
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