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型號(hào):STD3N30L-1
是否Rohs認(rèn)證: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包裝代碼:TO-251AA
包裝說(shuō)明:IN-LINE, R-PSIP-T3
針數(shù):3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代碼:EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí):5.73
雪崩能效等級(jí)(Eas):20 mJ
外殼連接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓:300 V
最大漏極電流 (Abs) (ID):3 A
最大漏極電流 (ID):3 A
最大漏源導(dǎo)通電阻:1.4 Ω
FET 技術(shù):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼:TO-251AA
JESD-30 代碼:R-PSIP-T3
元件數(shù)量:1
端子數(shù)量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度:150 °C
封裝主體材料:PLASTIC/EPOXY
封裝形狀:RECTANGULAR
封裝形式:IN-LINE
極性/信道類型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脈沖漏極電流 (IDM):12 A
認(rèn)證狀態(tài):Not Qualified
子類別:FET General Purpose Power
表面貼裝:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶體管應(yīng)用:SWITCHING
晶體管元件材料:SILICON
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